英睿达内存条怎么样,英睿达ddr4 2666内存评测?

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作为内存颗粒的三大供应商之一的镁光,在ddr4早期一直默默无闻,各大高端内存极少采用镁光颗粒,DIY玩家对于镁光ddr4颗粒也是避之不及。造成这一现象的根本原因在于镁光ddr4颗粒超频能力差。那么9012年了,ddr5即将问世,镁光在ddr4上是否迎头赶上呢?本文对于其自家DIY品牌英睿达(Crucial)内存在AMD平台进行了简单测试,供大家参考!

开箱

由于本文的主角为英睿达ddr4 8g 2666普条,且购于某鱼,所以开箱这一环节就免了,主角简单露个脸吧:

基本信息:内存2019年11周生产,颗粒为D9VPP,2019年第9周生产,台风软件显示为E die,16nm工艺,工艺台风软件显示应该有问题,我在网上查到的信息镁光E die为19nm工艺。由于镁光对于颗粒命名比较特殊,我们很难直观了解,大家可以在这个网页查询颗粒具体属于什么 die。

测试平台

 处理器:锐龙2400g

主板:华擎B350 ITX

硬盘:pm961 256G

机箱电源迎广肖邦

内存超频性能

网传镁光E die在牙膏厂可以4000+,并且对于cpu的IMC压力较小,那么在于按摩店平台上表现如何呢?小白级业余玩家和大家简单分享一下:

默认参数 19-19-19-43 1.2V 2666频率(实际20-19-19-43)

英睿达给的默认时序很高,感觉没有多少压榨空间。首先用aida64测了一下读写性能和延迟,确实很差。双通道读 37 G/s,写 39 G/s,复制 33 G/s,这数据基本没法看,延迟接近100 ns(AMD这锅我背o(╥﹏╥)o)。

超频 16-19-19-36 1.2V 3200

首先默认参数下直接3200走起,1.2V内存电压居然一次就开机了,镁光有长进。之前玩过全何的ddr4 2133的内存,颗粒是镁光B die,无论怎么改时序加电压,最高只能2666。开机进行简单测试后,看到惨不忍睹的时序,马上重启尝试压缩时序。首先最常见的16-18-18走起,无法开机,加电压1.4V还是无法开机。后来听说镁光第二第三时序较高,尝试16-19-19-36 1.2V,电脑成功启动,读写性能和延迟有了一些提高。但是和其他内存3200相同时序比差距很小,并且电压只有1.2v。用科赋普条afr颗粒模拟了一下同时序下内存性能,内存电压为1.35v,科赋在1.2v无法开机。上图是英睿达数据,下图为同参数科赋。

由于内存稳定性测试时间太长,仅简单测试了一下,用aida64单拷内存,差不多烤了半个小时,内存正常,拷完忘记截图了,在6分钟多截图了。

天花板 18-19-19-43 1.25V 3466(限于本次测试平台)

在我使用的平台上,这套内存最高只能3466开机,并完成简单测试,但是无法通过稳定性测试,aida64单拷内存基本5分钟左右就红了,memtest测试也很快就报错。放宽时序加电压应该能通过测试,考虑到我的小机箱以及普条没马甲,散热压力太大,就没进一步进行稳定性测试了,主要是怕内存烧掉了,咸鱼入的没保障。

小结

240左右的价格在一个月之前应该还是很香的,毕竟超频和海力士的afr差不多,虽然时序较高造成读写性能差(我手上科赋内存在测试平台上最高只能3266 16-15-15-32 1.35v,读 46 写48 复制42+  延迟70ns;华擎一波sao操作,最新bios手上afr只能3266了,之前可以3466的),但是电压低,散热压力小。如果200左右的价格,我还是很推荐大家购买的,但是现在略贵,并且选购存在困难,目前已知的e die有D9VPP D9VPS C9BJZ C9BHS D9WFL ,欢迎大家补充。

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